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型号 PSMN1R6-30PL,127
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3
PSMN1R6-30PL,127 PDF
代理商 PSMN1R6-30PL,127
产品目录绘图 PSMN TO-220AB-3
特色产品 TO220 with Trench 6 MOSFETs
标准包装 50
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.7 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 12493pF @ 12V
功率 - 最大 306W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1508 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 568-4900-5
934063916127
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